KTD1100是一款高集成磁通门电流传感器专用芯片。磁通门电流传感器是利用高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量电流的。
磁通门电流传感器工作时，激励线圈中加载方波，使磁芯往复磁化达到饱和。当被测量的电流为零时，磁芯中的激励电压信号，以及线圈内的激励电流，完全对称，输出为零。当被测电流不为零时，激励电流和被测电流同时作用于磁芯，线圈中电流波形不再对称，通过对其进行处理，就完成了对被测电流的测量。
KTD1100主要包含激励电源电路和信号调理电路。激励电源为具有100mA驱动能力的电压激励源。信号调理电路包括电压参考源、比较器、信号逻辑处理单元及独立的三通道运放，用于控制及信号放大、滤波、和输出。
KTD1100是一款高集成磁通门电流传感器专用芯片。磁通门电流传感器是利用高导磁率磁芯在交变磁场的饱和激励下，其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量电流的。
磁通门电流传感器工作时，激励线圈中加载方波，使磁芯往复磁化达到饱和。当被测量的电流为零时，磁芯中的激励电压信号，以及线圈内的激励电流，完全对称，输出为零。当被测电流不为零时，激励电流和被测电流同时作用于磁芯，线圈中电流波形不再对称，通过对其进行处理，就完成了对被测电流的测量。
KTD1100主要包含激励电源电路和信号调理电路。激励电源为具有100mA驱动能力的电压激励源。信号调理电路包括电压参考源、比较器、信号逻辑处理单元及独立的三通道运放，用于控制及信号放大、滤波、和输出。
| 产品型号 | Vref | 最小分辨率 | 工作电压 | 平均功耗 | 带宽 | 特性 | 输出形式 | 工作温度 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KTD1100-QNX | 2.495V~2.505V | 0.1mA | 4.75~5.25V | 12mA | 780Hz | 高灵敏度：1mV/mA | 模拟信号 | -40~105℃ | QFN3*3-24L |
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